摘要 采用晶格常數和表面能都與CBN非常接近的金剛石作為襯底,可以實現CBN的異質外延。這些外延單晶CBN薄膜制備的成功使得有效地應用CBN薄膜制備半導體器件成為可能。此外,也可利用其他...
采用晶格常數和表面能都與CBN非常接近的金剛石作為襯底,可以實現CBN的異質外延。這些外延單晶CBN薄膜制備的成功使得有效地應用CBN薄膜制備半導體器件成為可能。此外,也可利用其他材料作為襯底來進行CBN膜的異質外延。比如硅襯底預處理后可以實現TBN在襯底上的直接生長,可有效降低過渡層的厚度。
采用晶格常數和表面能都與CBN非常接近的金剛石作為襯底,可以實現CBN的異質外延。這些外延單晶CBN薄膜制備的成功使得有效地應用CBN薄膜制備半導體器件成為可能。此外,也可利用其他材料作為襯底來進行CBN膜的異質外延。比如硅襯底預處理后可以實現TBN在襯底上的直接生長,可有效降低過渡層的厚度。
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