一． 碳化硅的硬度與韌性
　　 碳化硅的硬度介于剛玉和金剛石之間。新莫氏硬度為13級，威氏硬度為3100~3400kg·mm2以上的硬度是不相同的，如表2-1-4所示。
　　表2-1-4 碳化硅不同晶面方向上的顯微硬度值
　　品面 壓頭方向 硬度，kg·mmˉ2
　　 最低值 平均值 最高值
　　（0001） 平等于（1010） 2900 2917±10 2935
　　（0001） 垂直于（1120） 2917 2954±27 3026
　　（1010） 平行于C軸 2027 2129±45 2179
　　（1010） 垂直于C軸 2700 2755±40 2827
　　（1120） 平行于C軸 2321 2391±34 2334
　　（1120） 垂直于C軸 2717 2755±22 2790
　　碳化硅的硬度也隨溫度的升高而下降，但各溫度下的硬度值仍大于剛玉，見表2-1-5所示。
　　表2-1-5 碳化硅與剛玉在各溫度下的硬度（kg·mmˉ2）℃
　　溫度℃ 20 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
　　硬度 剛玉 2460 2350 2250 2080 1850 1490 1250 980 270
　　kg·mmˉ2 碳化硅 3300 2460 2250 2180 1710 1520 1385 1170 970
　　 碳化硅磨料的韌性值反映了顆粒狀碳化硅在外力作用下玻碎的難易程度。表2-1-6 為黑碳化硅磨料的韌性值。影響碳化硅磨料韌性值的因素主要是磨料化學成分，礦物組成，顆粒形狀等。煅燒處理可提高碳化硅磨料的韌性。磨料行業對韌性測試方法有靜壓法和球磨法兩種。
　　表2-1-6 黑SiC磨料的韌性示例
　　磨料粒度 生產廠 韌性（%）
　　 球磨法 靜壓法
　　24# A 66.2 35.7
　　24# B 73.2 41.3
　　24# C 56.8 29.3
　　46# A 74.0 72.0
　　46# B 76.86 77.5
　　46# C 60.5 68.3
　　46# D 72.7 /
　　 碳化硅的機械強度高于剛玉。平均尺寸為0.1mm的高純度碳化硅顆粒的抗壓強度為186kN·cmˉ2，而普通剛玉磨料為100kN·cmˉ2，碳化硅磨料愈細其抗破碎強度愈高。粒度尺寸為90~2500μm的碳化硅的平均抗破碎強度為5800kPa·cmˉ2,同樣尺寸范圍的剛玉磨料為5300kPa·cmˉ2。
　　二． 碳化硅的色澤
　　 純碳化硅為無色晶體。工業碳化硅的色澤則取決于晶體中存在的雜質種類和數量，有淡黃色至黑色之間的多種不同的顏色。磨料行業把淺藍色至黑色的視為黑碳化硅；無色至綠色的為綠碳化硅。
　　碳化硅的呈色原因有多種不同的解釋。一般認為是同外來雜質的存在引起的。如：以碳化硼的形式引入硼時，會使晶體呈黑色；當晶體中含氮時則為綠色。
　　碳化硅的外觀顏色除與晶體本身的色澤有關外還與自然光在晶體表面薄膜的干涉現象有關。當碳化硅晶體表面的氧化硅薄膜厚度不同時，或對光線的反射角度不同時，碳化硅晶體表面的呈色亦各不相同。因此在自然光下常常看到碳化硅具有絢麗多彩的色澤。
　　三． 碳化硅的熱導率及線膨脹系數
　　 作為一種優質耐火材料，碳化磚具有優越的抗熱震性能。這一點具體表現在它具有高的熱導率（導熱系數）和較低的線膨脹系數。表2-1-7為一定配比的粘土結合劑碳化硅試樣的導熱系統值。碳化硅的線膨脹系數值見表2-1-8。
　　表2-1-7 SiC耐火制品的導熱系數（λ）
　　制品中SiC含量 制品氣孔率 導熱系數（λ）
　　重量（%） 體積（%） -1900℃ 0℃ 300℃ 500℃ 700℃ 900℃ 1100℃
　　 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1 W·mˉ1·Kˉ1
　　89.70 65.1 25.6 23.0 24.3 / 15.3 13.0 11.3 10.0
　　77.27 57.9 21.0 / / 13.0 11.5 10.2 9.1 8.0
　　57.22 39.1 24.5 5.5 7.1 6.1 5.7 5.3 4.9 4.5
　　49.39 34.2 22.1 / / 4.8 4.6 4.1 4.1 3.9
　　 一般工程計算上取碳化硅的導熱系數為6.28~9.63 W·mˉ1·Kˉ1。此值約為剛玉導熱系數的4倍。
　　表2-1-8 磚化硅線膨脹系數的平均值
　　α×106Kˉ1 溫度范圍 測試材料
　　4.14.474.354.35.24.94.34.5 100~500℃100~900℃15~1000℃25~1700℃20~1000℃20~1525℃20~1000℃20~1470℃ 純碳化硅純碳化硅純碳化硅純碳化硅純碳化硅純碳化硅純碳化硅純碳化硅
　　3.34.94 20~300℃300~800℃ 94.5% SiC＋3.6% SiO294.5% SiC＋3.6% SiO2
　　3.44.14.714.78 100~500℃100~1000℃15~1000℃15~1000℃ SiC粘土結合劑制品SiC粘土結合劑制品SiC粘土結合劑制品SiC粘土結合劑制品
　　在25~1400℃范圍內，碳化硅的平均線膨脹系數可取4.4×10-6Kˉ1；而剛玉的線膨脹系數為（7～8）×10-6Kˉ1。
　　四． 碳化硅的導電性能
　　 工業碳化硅是一種半導體，其導電性能隨晶體中引入雜質的種類和數量的不同而變化，電阻率在10ˉ2～1012Ω·㎝之間。其中對碳化硅導電性影響最大的雜質是鋁，氮和硼，含鋁較多的碳化硅導電性顯著增大。
　　碳化硅的導電性隨電場強度的增大面迅速提高，且具有非線性變化的特點。
　　碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。
　　五． 碳化硅的其他性質
　　 除碳化硅化學成分外，國標還對碳化硅磨料的密度，粒度組成，鐵合金粒允許含量，磁性物允許含量作了規定，另外磨料物理性能的一些測定方法已有國標規定，詳見GB3602－83～GB3605－83，《普通磨料pH值測定方法》，《普通磨料堆積密度測定方法》，《普通磨料顆粒密度測定方法》和《普通磨料親水性測定方法》等。