隨著半導體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，金剛石因其優(yōu)異的導熱性能、超寬的禁帶結構以及較高的載流子遷移率，逐漸成為業(yè)界備受矚目的半導體材料之一。然而，金剛石的加工難度一直是制約其廣泛應用的關鍵因素。

       近日，大族半導體在金剛石切片領域取得了重要的技術突破，推出了QCBD激光切片技術及其相關設備，實現(xiàn)了金剛石高質量低損傷高效率激光切片。這一成果標志著激光切片技術在金剛石材料加工中取得重要進展，填補了國內(nèi)在該領域的技術空白。

       通過對激光能量的精確調控與光束形態(tài)的調制，大族半導體克服了金剛石解理面{111}與切片方向{100}之間較大角度帶來的加工難題，實現(xiàn)了晶錠的高精度、低損傷剝離。根據(jù)大族半導體QCB研究實驗室研究數(shù)據(jù)顯示，使用該技術，剝離后粗糙度Ra低至3μm以內(nèi)，激光損傷層可大幅度降低至20μm。這項技術突破將大幅降低金剛石的加工成本，推動其在電子、光學等高端領域的廣泛應用。

       大族半導體研發(fā)的金剛石激光切片技術，憑借卓越的加工效能，已成功攻克半導體材料加工技術領域的眾多棘手難題。這一技術的突破，不僅顯著加速了生產(chǎn)流程，將生產(chǎn)效率推向新高，而且精細入微的工藝確保了產(chǎn)品質量的飛躍式提升，同時，通過優(yōu)化生產(chǎn)流程，有效降低了制造成本，展現(xiàn)出了極為廣闊的市場應用前景，預示著其在未來的高科技制造領域中必將占據(jù)舉足輕重的地位，引領半導體材料加工技術邁向一個全新的發(fā)展階段。