半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今，經(jīng)過近六十年的發(fā)展先后經(jīng)歷了三次明顯的換代和發(fā)展。其中，第三代半導(dǎo)體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，相比于第一、二代半導(dǎo)體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。

近年來，隨著5G通信、新能源汽車、光伏等行業(yè)的快速發(fā)展，我國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展迎來關(guān)鍵節(jié)點和重大機遇，第三代半導(dǎo)體需求面臨劇增的局面。

國內(nèi)廠商技術(shù)優(yōu)勢凸顯 優(yōu)質(zhì)賽道競爭格局清晰

目前，從第三代半導(dǎo)體材料呈現(xiàn)的競爭格局來看，整體輪廓展現(xiàn)出日益清晰的局面。在國外，以美國的Cree和II-VI公司為主，在國內(nèi)，有山東天岳，天科合達、河北同光等。

碳化硅襯底材料分半絕緣型和導(dǎo)電型。半絕緣型碳化硅電阻率高，工藝窗口窄，主要應(yīng)用于雷達和5G通信領(lǐng)域的射頻器件。導(dǎo)電型碳化硅電阻率低，主要應(yīng)用于電力電子的功率器件。

山東天岳自成立以來一直在半導(dǎo)體領(lǐng)域里潛心探索。公開資料顯示，山東天岳成立于2010年，主要從事碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前，公司主要產(chǎn)品覆蓋半絕緣型（4英寸為主）和導(dǎo)電型（6英寸為主）碳化硅襯底，已供應(yīng)至國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的下游核心客戶，同時已被部分國外頂尖的半導(dǎo)體公司使用。

下游應(yīng)用領(lǐng)域場景廣闊 未來行業(yè)發(fā)展空間巨大

碳化硅由于自身特性，下游應(yīng)用領(lǐng)域場景和領(lǐng)域十分廣泛，這無疑會為身處其中的企業(yè)帶來增長的機會，并拓展行業(yè)發(fā)展的寬度和廣度。

碳化硅可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G 通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要應(yīng)用在電機驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等多個關(guān)鍵系統(tǒng)中，比如特斯拉的Model 3車型上使用了24個碳化硅MOSFET功率模塊的逆變器。隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，以及巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環(huán)境以及政策驅(qū)動，我國SIC產(chǎn)業(yè)發(fā)展明顯進一步迎來戰(zhàn)略機遇期。