申請(qǐng)?zhí)? 201510187333.4
       申請(qǐng)日: 2015.04.21
       國(guó)家/省市: 中國(guó)遼寧(21)
       公開號(hào): 104817089A
       公開日: 2015.08.05
       主分類號(hào): C01B 33/06(2006.01)
       分類號(hào): C01B 33/06(2006.01); C01B 31/36(2006.01)
       申請(qǐng)人: 遼寧科技學(xué)院
       發(fā)明人: 尤晶; 王耀武
       代理人: 梁焱
       代理機(jī)構(gòu): 21109
       申請(qǐng)人地址: 遼寧省本溪市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)香槐路176號(hào)

       摘要： 一種回收單/多晶硅切割廢料漿中金屬硅與碳化硅的方法，按以下步驟進(jìn)行：（1）將單晶硅或多晶硅切割廢料漿過(guò)濾或離心分離；（2）將固相烘干后降溫；（3）用鎂箔或鎂片包裹，浸沒(méi)于熔融鎂液中，生成鎂硅合金熔體；（4）熔融鎂液全部成為鎂硅合金熔體時(shí)，熔體上方為碳化硅和氧化硅，下方為雜質(zhì)；（5）將鎂硅合金熔體抽取到坩堝中，加入精煉劑進(jìn)行精煉，然后澆鑄；（6）降溫至50℃以下；切割分離上層部分，研磨、酸浸、過(guò)濾、堿浸，獲得碳化硅。本發(fā)明的方法工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低，可最大程度地實(shí)現(xiàn)切割廢料中金屬硅的回收，實(shí)現(xiàn)單晶硅和多晶硅切割廢料資源的回收利用。

       主權(quán)利要求 1.一種回收單/多晶硅切割廢料漿中金屬硅與碳化硅的方法，其特征在于按以下步驟進(jìn)行：（1）將單晶硅或多晶硅切割廢料漿過(guò)濾或離心分離，獲得固相和液相；（2）將固相置于真空度0.1~5Pa和溫度80~200℃條件下，烘干0.5~1.5h，然后降溫至40℃以下，獲得粉狀固體物料；（3）在第一坩堝內(nèi)將鎂熔化制成溫度為660~950℃的熔融鎂液；將粉狀固體物料用鎂箔或鎂片包裹，浸沒(méi)于熔融鎂液中，保持1~20min，使粉狀固體物料中的金屬硅與鎂反應(yīng)生成鎂硅合金熔體，同時(shí)碳化硅和氧化硅上浮到熔體表面，雜質(zhì)下沉到熔體的底部；為防止浮到熔體表面的碳化硅氧化，在熔體表面用氬氣氣氛保護(hù)；（4）當(dāng)粉狀固體物料的用量為全部熔融鎂液總重量的50~100%時(shí)，停止加入粉狀固體物料，此時(shí)熔融鎂液全部成為鎂硅合金熔體，鎂硅合金熔體上方為碳化硅和氧化硅，下方為雜質(zhì)部分；（5）將中間的鎂硅合金熔體抽取到第二坩堝中，調(diào)節(jié)溫度在800~950℃，向第二坩堝內(nèi)的鎂硅合金熔體中加入精煉劑，對(duì)鎂硅合金進(jìn)行精煉，此過(guò)程中保持熔體表面的氬氣氣氛；精煉結(jié)束后澆鑄獲得鎂硅合金鑄錠；（6）在熔體表面的氬氣氣氛條件下，將第一坩堝內(nèi)的物料降溫至50℃以下，使物料凝固；切割分離獲得含有碳化硅和氧化硅的上層部分，研磨至粒度為0.05~0.15mm的粉料，然后將粉料用酸浸沒(méi)，去除其中混入的雜質(zhì)，再過(guò)濾獲得固體粉料；將固體粉料置于堿液中浸沒(méi)1~5h，去除氧化硅，獲得純度≥95%的碳化硅。