2025年兩院院士增選有效候選人名單已于8月20日公布36。中國(guó)科學(xué)院有效候選人639人，中國(guó)工程院有效候選人660人。

       在這份名單中，多位長(zhǎng)期深耕于金剛石及寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長(zhǎng)、超寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)到碳化硅產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)前沿領(lǐng)域。

       院士增選總體情況

       2025年兩院院士增選工作于4月25日正式啟動(dòng)，中國(guó)科學(xué)院和中國(guó)工程院增選名額各不超過(guò)100名。

       中國(guó)科學(xué)院公布的增選有效候選人中，數(shù)學(xué)物理學(xué)部98人，化學(xué)部105人，生命科學(xué)和醫(yī)學(xué)學(xué)部125人，地學(xué)部96人，信息技術(shù)科學(xué)部61人，技術(shù)科學(xué)部104人，另有特別推薦領(lǐng)域50人。

       中國(guó)工程院有效候選人分布在各個(gè)學(xué)部，包括機(jī)械與運(yùn)載工程學(xué)部68人，信息與電子工程學(xué)部68人，化工、冶金與材料工程學(xué)部71人等。

       金剛石及寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域候選人

       在此次候選人名單中，眾多長(zhǎng)期深耕于金剛石及寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的科研團(tuán)隊(duì)脫穎而出，他們的入選不僅凸顯了該領(lǐng)域在科研層面的重要價(jià)值，更彰顯了其在國(guó)家戰(zhàn)略布局與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中的關(guān)鍵地位。以下為相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)介紹（排名不分先后，如有遺漏，歡迎補(bǔ)充指正）：

       1、哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦團(tuán)隊(duì)：長(zhǎng)期專注于金剛石晶體材料、透明件材料以及高導(dǎo)熱復(fù)合材料等領(lǐng)域的研究。單晶金剛石憑借其極佳的電學(xué)性能、最高的材料熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)惰性以及高的輻射抗性，被譽(yù)為終極半導(dǎo)體材料。該團(tuán)隊(duì)在金剛石成工藝、金剛石高導(dǎo)熱及半導(dǎo)體器件應(yīng)用等方面成果斐然，取得了顯著進(jìn)展。

       2、西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成團(tuán)隊(duì)：研究方向聚焦于超寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)（涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁等）、寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)（如氮化鎵等）以及大功率射頻芯片與電力電子芯片。近年來(lái)，團(tuán)隊(duì)在超寬禁帶半導(dǎo)體研究領(lǐng)域取得一系列突破性成果，例如金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管在柵長(zhǎng)為2μm時(shí)，仍能保持400mA/mm的高電流密度，并可在200°C環(huán)境下穩(wěn)定工作。

       3、哈爾濱工業(yè)大學(xué)武高輝團(tuán)隊(duì)：首創(chuàng)大氣環(huán)境下金屬基復(fù)合材料浸滲、成型、界面反控制同步制造技術(shù)。借助這一創(chuàng)新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低成本、綠色化制造的金剛石/鋁和金剛石/銅超高導(dǎo)熱復(fù)合材料及凈成型構(gòu)件，成功攻克高功率器件的散熱難題。

       4、華僑大學(xué)徐西鵬團(tuán)隊(duì)：研究方向?yàn)椤坝泊嗖牧舷冗M(jìn)加工科學(xué)與技術(shù)”，重點(diǎn)探索“半導(dǎo)體材料精密超精密磨粒加工新技術(shù)”。目前，徐西鵬主持國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目“晶圓級(jí)單晶金剛石襯底的活性硬質(zhì)磨粒協(xié)同加工原理與關(guān)鍵技術(shù)研究”。

       5、山東大學(xué)徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)：在碳化硅領(lǐng)域成績(jī)卓著，于碳化硅生長(zhǎng)機(jī)理、高純半絕緣創(chuàng)制、裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得系列創(chuàng)造性成果。團(tuán)隊(duì)先后突破2 - 12英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)，在我國(guó)首次攻克高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術(shù)壁壘。相關(guān)成果應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)核心器件，已全面列裝于先進(jìn)戰(zhàn)機(jī)、制導(dǎo)武器、大型戰(zhàn)艦等我軍主力裝備。

       6、北京大學(xué)沈波團(tuán)隊(duì)：主要從事III族氮化物（GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體物理、材料和器件研究。在強(qiáng)極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運(yùn)規(guī)律、GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)和缺陷控制等方面取得重要進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)外同行中產(chǎn)生一定影響。此外，在GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣自旋性質(zhì)、GaN基量子阱子帶躍遷器件等方面也取得一系列成果。

       7、西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì)：二十余年來(lái)致力于寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)研究。“高能效超寬帶氮化鎵射頻功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目榮獲2023年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

       8、中國(guó)科學(xué)院物理研究所陳小龍團(tuán)隊(duì)：長(zhǎng)期投身于功能晶體材料研究工作，發(fā)展了寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅晶體生長(zhǎng)新方法，推動(dòng)我國(guó)碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有、從零到一的跨越，達(dá)成產(chǎn)業(yè)自主可控。通過(guò)發(fā)現(xiàn)并利用碳化硅/石墨異質(zhì)雙界面的自發(fā)成核規(guī)律，發(fā)明電場(chǎng) - 磁場(chǎng) - 熱場(chǎng)高效耦合的單晶生長(zhǎng)方法和裝備，攻克晶體擴(kuò)徑這一學(xué)術(shù)難題。在國(guó)內(nèi)率先開展成果轉(zhuǎn)化，創(chuàng)立國(guó)內(nèi)首家碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化公司。提出界面能調(diào)控晶型理論，通過(guò)設(shè)計(jì)助溶劑成份，在國(guó)際上首次生長(zhǎng)出具有實(shí)用價(jià)值的2 - 6英寸的3C - SiC晶體，使3C - SiC/SiO2柵氧界面態(tài)密度降低1個(gè)數(shù)量級(jí)。

       9、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司劉國(guó)友團(tuán)隊(duì)：自2008年起主持大功率IGBT芯片與模塊技術(shù)的研究與開發(fā)工作，2010年著手組建功率半導(dǎo)體林肯研發(fā)中心，聚焦IGBT和碳化硅技術(shù)。

       領(lǐng)域重要意義與發(fā)展前景

       金剛石被稱為“終極半導(dǎo)體材料”，具有極佳的電學(xué)性能、最高的材料熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)惰性和高的輻射抗性。在“后摩爾”時(shí)代，金剛石是實(shí)現(xiàn)電子、光電子和量子芯片的基礎(chǔ)性材料。

       2020年我國(guó)人造金剛石產(chǎn)量為207億克拉，較2015年增加51億克拉，占全球90%以上市場(chǎng)份額。隨著CVD（化學(xué)氣相沉積）法的發(fā)展，人造金剛石已經(jīng)可與天然鉆石相媲美甚至在橫向面積、純度等方面更占優(yōu)勢(shì)。

       寬禁帶半導(dǎo)體材料如碳化硅、氮化鎵等，是制造高溫、高頻、大功率電子器件的關(guān)鍵材料，在5G通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。

       我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，突破了國(guó)際封鎖，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備自主可控，對(duì)產(chǎn)業(yè)升級(jí)及下一代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車有著重要作用。