在我們的社群有問到“減薄工藝與CMP”方面的問題。表面去看，CMP也有減薄的作用，但其實(shí)不太一樣，另外還有一個(gè)磨削研磨的工藝，可能也會(huì)有所誤解。下面我們放在一起來(lái)聊一聊。

        為了更直觀的展現(xiàn)這幾個(gè)工藝的不同，我們先看看它們?cè)谥圃炝鞒讨械奈恢茫嬃艘粋€(gè)包含部分流程的示意圖，如下。

       圖中的黃色底是磨削/研磨工藝，綠色背景的是CMP平坦化工藝，紅色底的是減薄工藝?？梢钥闯觯诹鞒添樞蛏?，它們幾個(gè)是有差異的，先有磨削/研磨再是CMP（重復(fù)多次），最后才是減薄。

       其中CMP平坦化工藝可以先看看我前面寫的文章：為什么需要CMP工藝？，平坦化CMP用的次數(shù)比較多，在離子注入后的硅片表面，每一層金屬化、以及對(duì)頂層金屬進(jìn)行拋光等地方都需要。

       而磨削研磨，主要目的是減少硅片的厚度。這里要注意削和研磨其實(shí)也是兩個(gè)概念，通常是按照從粗糙到精細(xì)的順序進(jìn)行的，即先進(jìn)行磨削，然后進(jìn)行研磨。磨削是為了達(dá)到所需的尺寸或形狀，研磨是為了去除磨削過程中留下的劃痕和表面缺陷，就這么簡(jiǎn)單。

       另外特別再說(shuō)一下：磨削是磨的晶圓背面，研磨則是對(duì)整個(gè)晶圓拋光，大部分是對(duì)晶圓正面進(jìn)行拋光，多是物理方法。

       CMP在這里我們還是再提一句，CMP平坦化是在每次金屬層沉積和蝕刻之后進(jìn)行，使用化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨。在晶圓制造過程中，CMP可能需要多次進(jìn)行，主要集中在晶圓正面。

       最后來(lái)說(shuō)減薄工藝，顧名思義，它的目的也很簡(jiǎn)單，就是希望減少晶圓的整體厚度，從而提高集成度、減少熱阻、適應(yīng)封裝要求等。這個(gè)操作流程是在晶圓正面所有制造步驟完成后，對(duì)整個(gè)晶圓進(jìn)行的一次性操作，但這個(gè)操作是在晶圓切割成單個(gè)芯片之前。

        因此，可以看出減薄工藝與CMP工藝是不同的，與上面的研磨也不太一樣，更有點(diǎn)像是磨削。通常我們是用含有金剛石磨粒的砂輪以一定的速度來(lái)磨削，如下面的圖：

        再畫一個(gè)砂輪減薄的示意圖，我畫的圖可能不太好看哈。

        最后提一個(gè)小問題，減薄是針對(duì)晶圓的哪一面進(jìn)行操作的：背面還是正面？歡迎留言！