CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機(jī)械拋光，是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，借助超微離子研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔的平面。

       在傳統(tǒng)拋光方法中，機(jī)械拋光研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高容易出現(xiàn)表面層損傷，表面粗糙度比較高；化學(xué)拋光表面精度高、損傷低、完整性好，不容易出現(xiàn)表面損傷，但研磨速率較慢，材料去除效率較低，不能修正表面精度，研磨一致性比較差。而化學(xué)機(jī)械拋光采用機(jī)械摩擦與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，二者交替進(jìn)行，最終完成工件的拋光，速率慢者控制拋光的速率。

       化學(xué)機(jī)械拋光的優(yōu)點主要是：可以獲得全局平坦化能平坦化所有類型材料的表面；能平坦化多層材料的表面；可以降低由于設(shè)計尺寸的減小和布線層數(shù)的增多而導(dǎo)致的對薄膜形貌的苛刻要求；避免了對難以刻蝕的金屬或合金所需要的反應(yīng)離子刻蝕RIE和等離子刻蝕；能夠減小材料表面起伏；能夠提高0.25um及以下器件和電路的可靠性、速度和成品率；改善材料的臺階覆蓋率和去除材料的表面缺陷。

       拋光液是影響化學(xué)機(jī)械拋光質(zhì)量和拋光效率的關(guān)鍵因素，一般通過測定材料去除率和表面粗糙度的方法來評價拋光液性能優(yōu)良程度。其組分包括磨料、氧化劑和其他添加劑，通常根據(jù)被拋光材料的物理化學(xué)性質(zhì)及對拋光性能的要求，選擇合適的拋光液。

       磨料是拋光液最主要的組成部分，在拋光工程中通過微切削，微擦劃和滾壓等方式作用于被加工材料表面，達(dá)到機(jī)械去除材料的作用。根據(jù)磨料的不同又可分為單一磨料拋光液，混合磨料拋光液和復(fù)合磨料拋光液。