今日公告顯示，近日公司研制的直拉區(qū)熔法（簡稱“CFZ法”）晶體新型專用單晶爐，與用戶天津環(huán)歐取得重要進展。天津環(huán)歐在公司研制的CFZ法單晶爐上，使用其自有的工藝技術，成功拉制出多顆高效太陽能用晶體，比傳統(tǒng)設備拉晶速度提高了35%，月產能較傳統(tǒng)設備提高近25%，晶棒成本下降40%以上。該晶體棒材已在區(qū)熔爐上得到應用驗證。公司指出，該新型設備的成功研制大大降低了晶體生長綜合成本，進一步推進了天津環(huán)歐的CFZ高光電轉換效率的區(qū)熔硅單晶光伏電池材料生產項目。

　　另外，晶盛機電天津環(huán)歐聯(lián)合承擔的國家科技重大專項《區(qū)熔硅單晶片產業(yè)化技術與國產設備研制》之“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國產設備研制”課題的區(qū)熔硅單晶爐也取得突破性進展，成功拉出8英寸氣相摻雜單晶硅，也是目前國產區(qū)熔設備上拉制出的尺寸最大的氣摻區(qū)熔單晶棒。

　　晶盛機電表示，相比于傳統(tǒng)的中子照射區(qū)熔硅單晶棒，采用氣相摻雜技術拉制的區(qū)熔硅單晶棒解決了中子輻照單晶硅生產周期長、成本高、及晶體中照損傷的不利因素，可降低生產成本20%~30%，在IGBT大功率器件領域具有非常好的應用前景。此項重大進展表明公司的8英寸區(qū)熔硅單晶爐已具備產業(yè)化基礎，并預計將在2013年開始實現(xiàn)少量銷售。