碳化硅磨料的化學成分是反映其內(nèi)在質(zhì)量和性能的主要指標之一。一般地說，碳化硅含量愈高，純度愈高，則碳化硅磨料的物理性能愈好。
　　 碳化硅磨料的主要成分是碳化硅（SiC）。一級品SiC結(jié)晶塊中通常含95%~98%的SiC，其余為各種雜質(zhì)。
　　游離硅（F·Si）：它一部分溶解在碳化硅晶體中，一部分與其它金屬雜質(zhì)（鐵，鋁，鈣等）呈合金狀態(tài)存在。
　　游離二氧化硅（F·SiO2）：通常存在于晶體表面，大都是由于冶煉碳化硅電阻爐冷卻過程中碳化硅氧化而形成。正常情況下，綠碳化硅結(jié)晶塊表面的游離硅，二氧化硅的含量為0.6%左右。當配料中二氧化硅過量中，二氧化硅會蒸發(fā)凝聚在碳化硅晶體表面上，呈白色絨毛狀。
　　碳（C）：一部分包裹在碳化硅晶體中，一部分和金屬雜質(zhì)形成碳化物。當配比中碳過量時，可看到明顯的游離狀態(tài)的炭料。
　　 鐵，鋁，鈣，鎂：由于爐內(nèi)的高溫及還原性氣氛，結(jié)晶塊中的這些雜質(zhì)大都呈合金狀態(tài)或碳化物狀態(tài)。
　　碳化硅磨料的化學成分隨磨料粒度的變化略有波動。粒度愈細，純度愈低。
　　 我國磨料工業(yè)上，規(guī)定碳化硅成分的標準分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）對試樣加熱處理，使顆粒表面的雜質(zhì)溶解，殘渣經(jīng)灼燒后視為碳化硅含量，此法又稱為表面分析法。另一種分析法是堿熔法，即把試樣與碳酸鈉共熔，待試樣全熔后分析之，這種分析方法又稱為全熔法。顯然，同一試樣用前一種方法測出的碳化硅含量稍高于后一種測法。詳見表2-1-1。
　　表2-1-1 碳化硅中雜質(zhì)的含量（%）
　　產(chǎn)物 R2O3 RO F·Si F·SiO2 總計
　　 總量 表面量 總量 表面量 總量 表面量 總量 表面量 總量 表面量
　　綠色 0.72 0.37 0.42 0.05 1.72 0.01 0.42 0.13 3.28 0.56
　　綠色 1.03 0.36 0.29 0.06 2.08 0.12 0.60 0.40 4.00 0.94
　　黑色 1.09 0.33 0.28 0.01 2.77 0.02 0.72 0.59 4.86 0.95
　　黑色 1.30 1.22 0.41 0.13 4.21 0.13 1.20 1.11 7.11 2.59
　　黑色 1.29 0.54 0.36 0.09 3.17 0.16 0.83 0.29 5.65 1.08
　　黑色細結(jié)晶 1.27 0.65 0.38 0.09 5.02 0.29 0.87 0.58 7.54 1.61
　　黑色 1.42 0.33 0.33 0.03 6.07 0.04 1.03 0.63 8.85 1.03
　　無定形物 3.68 1.56 0.32 0.10 20.72 0.69 8.70 6.04 33.42 8.39
　　無定形物 1.53 0.61 0.95 0.07 11.99 0.61 2.72 1.41 17.19 2.70
　　 注：“總量”是按全熔法測定的結(jié)果，“表面量”是按分析法測定的結(jié)果。