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官方微信摘要 名稱碳化硅超快速高溫整流二極管公開號1044737公開日1990.08.15主分類號H01L29/36分類號H01L29/36;H01L29/91申請?zhí)?9109809.7分案原申...
| 名稱 | 碳化硅超快速高溫整流二極管 | ||
| 公開號 | 1044737 | 公開日 | 1990.08.15 |
| 主分類號 | H01L29/36 | 分類號 | H01L29/36;H01L29/91 |
| 申請?zhí)?/td> | 89109809.7 | ||
| 分案原申請?zhí)?/td> | 申請日 | 1989.12.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1988.12.14[33]US[31]284,035;[32]1989.9.6[33]U | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | 約翰·Ａ·埃德蒙 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人 | 王以平 |
| 摘要 | 本發(fā)明是一個以碳化硅制成的超快速高頻高溫整流二極管，它包括一片單晶碳化硅襯底，具有充足的載流子濃度，賦予襯底第一導電類型，一層在襯底上的第一單晶碳化硅外延層，并具有與襯底相同的導電類型，和一層在第一外延層上的第二單晶碳化硅外延層，并具有與第一外延層相反的導電類型。外延層之一的載流子濃度大于另一個層外延層的濃度，以致在反偏下濃度較小的外延層被顯著地耗盡。第一和第二外延層形成一個突變的PN結(jié)。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003604號