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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽能解決方案

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。意法半導(dǎo)體已于近日在美國...

日期 2012-09-24   

碳化硅等新材料使功率半導(dǎo)體走向新時代

“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均...

日期 2012-07-02   

我國半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用形勢研究分析

半導(dǎo)體器件的發(fā)明和應(yīng)用深刻地改變了近50年的人類歷史發(fā)展進程。進入21世紀,半導(dǎo)體器件無處不在,已成為構(gòu)筑信息化社會的基石。同時,電力半導(dǎo)體在提高電力轉(zhuǎn)換效率方面的作用...

日期 2012-06-19   

美研制出全新碳基半導(dǎo)體“一氧化石墨烯”

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)4月16日報道,美國威斯康辛大學(xué)米爾沃基分校的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種全新的碳基材料——一氧化石墨烯(GMO),其由碳家族的神奇材料石墨烯合成,該半導(dǎo)體新材料有...

日期 2012-04-20   

道·科寧與美海軍研究局開發(fā)碳化硅半導(dǎo)體材料技術(shù)

道·科寧復(fù)合半導(dǎo)體方案公司稱已與美海軍研究局簽訂了一份價值360萬美元的合同,開發(fā)碳化硅半導(dǎo)體材料技術(shù)。這種技術(shù)對于寬能帶隙設(shè)備的開發(fā)具有十分重要的意義,可用于支持包括...

日期 2012-03-02   

半導(dǎo)體材料將走向“納米化”

半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后,在家電、通信、網(wǎng)絡(luò)、航空、航天、國防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年,...

日期 2012-02-29   

東莞半導(dǎo)體碳化硅外延晶片等四項目獲4800萬元資助

近日,記者從科技局網(wǎng)站獲悉,東莞市將對2010年度市重大科技專項《純電動汽車集成開發(fā)關(guān)鍵技術(shù)研究及應(yīng)用》、《電動汽車動力電池關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》、《第三代半導(dǎo)體碳化硅...

日期 2012-02-23   

復(fù)合半導(dǎo)體納米線成功整合在硅晶圓上

美國科學(xué)家開發(fā)出一種新技術(shù),首次成功地將復(fù)合半導(dǎo)體納米線整合在硅晶圓上,攻克了用這種半導(dǎo)體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關(guān)鍵挑戰(zhàn)。他們表示,這些細小的納米線有望帶來...

日期 2011-11-21   

西格里:為太陽能及半導(dǎo)體業(yè)提供定制解決方案

日前,西格里集團成功在其位于北美的生產(chǎn)基地完成了世界領(lǐng)先的低壓化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的安裝。這個新反應(yīng)器將被用于大型細顆粒石墨及碳纖維增強碳部件上的碳化硅沉積,以滿足太陽能...

日期 2010-05-11   

電信和照明系統(tǒng)開發(fā)能耗減半的新型半導(dǎo)體材料

隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目...

日期 2010-12-30   

瑞薩電子計劃2011年上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體

瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等...

硅基半導(dǎo)體照明技術(shù)研究中心落戶南昌高新區(qū)

中國網(wǎng)?濱海高新訊近日,依托南昌大學(xué)、晶能光電的國家硅基半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心獲科技部批準組建。國家工程中心組建期為3年,將獲得國家撥款1400萬元。至此,江西省國...

芯片以后不用硅制作 碳化硅更適合做半導(dǎo)體

眾所周知,硅對于電腦來說,可謂舉足輕重。傳統(tǒng)的電腦芯片是通過對硅進行熔化和冷卻等多個過程后制成的。但是,硅有一個缺點,就是對溫度過于“敏感”,有時在高溫下不能正常工作,...

日期 2004-12-23   

II-VI 公司將合作建立碳化硅半導(dǎo)體基底制造基地

II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學(xué)合作建立一個碳化硅(SiC)半導(dǎo)體基底制造基地。碳化硅可用來作為藍紫光發(fā)光二極管...

日期 2005-05-25   

東方南興碳化硅半導(dǎo)體材料線切割專用刃料技改項目開工

2010年11月8號,寧夏東方南興研磨材料有限公司技改工程開工慶典順利舉行。據(jù)了解,東方南興公司在碳化硅半導(dǎo)體材料線切割專用刃料技術(shù)改造項目實施后,經(jīng)濟效益將有明顯的提...

日期 2010-11-11   

飛兆半導(dǎo)體收購SiC公司TranSiC

飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明,稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC,但交易金額并沒有透露。飛兆半導(dǎo)體董事會主席、CEO兼總裁MarkThompson在一份聲明中指...

日期 2011-04-16   

我國攻關(guān)半導(dǎo)體稀土拋光液

近日從包頭市科技局了解到,包頭稀土研究院日前與包頭天驕清美稀土拋光粉有限公司簽訂了氧化鈰新型半導(dǎo)體拋光液科研項目合作開發(fā)協(xié)議,標志著我國在化學(xué)機械拋光技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域邁出關(guān)...

日期 2010-07-09   

第三代半導(dǎo)體碳化硅項目落戶中關(guān)村海淀園

經(jīng)過近一年的推進工作,美國羅格斯大學(xué)趙建輝教授的第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延及器件產(chǎn)業(yè)化項目,目前已確定落戶中關(guān)村海淀園。該項目中試及初期生產(chǎn)場地最終確定在海淀東升...

日期 2011-06-21   

芯片以后不用硅制作 碳化硅更適合做半導(dǎo)體

眾所周知,硅對于電腦來說,可謂舉足輕重。傳統(tǒng)的電腦芯片是通過對硅進行熔化和冷卻等多個過程后制成的。但是,硅有一個缺點,就是對溫度過于“敏感”,有時在高溫下不能正常工作,...

日期 2005-04-19   

大阪大學(xué)利用金剛石半導(dǎo)體制出SBD

在2010年9月14~17日于長崎大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會學(xué)術(shù)演講會上,日本大阪大學(xué)與產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所宣布,采用金剛石半導(dǎo)體制作出肖特基勢壘二極管(SBD),調(diào)...

日期 2010-09-29   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業(yè)集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強國內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

中國人造金剛石誕生60周年

中國人造金剛石誕生60周年

1963年,我國成功研制出第一顆人造金剛石,經(jīng)過幾代人的拼搏奮斗,實現(xiàn)了從無到有、從小到大、從弱到強的華麗蝶變。人造金剛石及其制品在我國航空航天、國防軍工、機床機械等領(lǐng)域發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。不僅如此,隨著金剛石技術(shù)的選代,金剛石民用領(lǐng)域—培育鉆石迎來了自己的大爆發(fā),中國占據(jù)了世界培育鉆石產(chǎn)量的80%以上,近幾年在國際上產(chǎn)生了巨大影響力。

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