存儲芯片被稱為半導體產(chǎn)業(yè)“風向標”，存儲芯片多個周期底部特征顯現(xiàn)，與此同時，近期賽道內的A股上市公司東芯股份、江波龍、佰維存儲、普冉股份等迎來機構密集調研。

????多名接受《證券日報》記者采訪的業(yè)內人士表示：“上游原廠產(chǎn)能控制疊加下游消費電子市場需求提振，存儲芯片作為半導體產(chǎn)業(yè)應用面最廣、標準化程度最高的產(chǎn)品，有望率先迎來拐點，并推動半導體產(chǎn)業(yè)復蘇。”

????周期底部特征漸明顯

????9月以來，消費電子市場各大廠商相繼推出新品，華為Mate60系列新機、蘋果iPhone15系列新機、榮耀VPurse折疊屏新品等面世，對消費者換機需求產(chǎn)生了積極拉動作用，產(chǎn)業(yè)鏈多家公司近期密集發(fā)布招工信息。

????人工智能專家、中國電子商務專家服務中心副主任郭濤在接受《證券日報》記者采訪時表示：“全球集成電路細分市場周期具有相似的波動性，而其中存儲芯片市場的彈性更大，對集成電路產(chǎn)業(yè)的整體周期性波動具有一定的放大作用。因此，存儲芯片市場的變化往往能反映出半導體產(chǎn)業(yè)的整體趨勢，成為行業(yè)風向標。”

????集邦咨詢分析師王豫琪向《證券日報》記者表示：“過往存儲芯片周期中的價格上漲，一般由終端需求回升、買方庫存回補訂單推動，本輪周期止跌，主要由原廠激進減產(chǎn)帶動。目前底部特征明顯，一是原廠宣布擴大減產(chǎn)，庫存下跌趨勢已定，二是買方庫存已有下降趨勢，部分議價能力較小的客戶，已接受原廠漲價行為。其中，非線性宏單元模式存儲器（NAND Flash）率先反彈，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的復蘇則稍微晚一些。”