中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所立足自主研發(fā)，在掌握直徑50.8mm(2英寸)、76.2mm(3英寸)碳化硅單晶生長技術(shù)之后，近日成功生長出直徑100mm(4英寸)4H晶型碳化硅單晶。碳化硅單晶正朝著大尺寸的方向迅速發(fā)展。

       碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂移速度高，臨界擊穿場強(qiáng)大，熱導(dǎo)率高等諸多特點(diǎn)，主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET、IGBT等器件。在綠色照明領(lǐng)域，用碳化硅襯底制作的LED性能遠(yuǎn)優(yōu)于藍(lán)寶石襯底。2012年4月，科銳公司利用SiC襯底制作的LED其發(fā)光效率達(dá)到254 lm/w，再次創(chuàng)造了業(yè)界記錄。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅有望實(shí)現(xiàn)Si材料無法實(shí)現(xiàn)的高效率及小型化。2012年，科銳、三菱電機(jī)、羅姆均推出了全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。飛兆半導(dǎo)體也宣布于2013年上半年開始量產(chǎn)碳化硅基雙極結(jié)型晶體管。碳化硅襯底需求將在短期內(nèi)迎來一個(gè)爆發(fā)增長期。