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官方微信摘要 本網(wǎng)記者從中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所獲悉，該所科技人員立足自主研發(fā)，在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)之后，2月4日，成功生長(zhǎng)出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶，這標(biāo)志著我國(guó)碳...
本網(wǎng)記者從中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所獲悉，該所科技人員立足自主研發(fā)，在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)之后，2月4日，成功生長(zhǎng)出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶，這標(biāo)志著我國(guó)碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)達(dá)到了國(guó)際一流水平。據(jù)介紹，碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，飽和漂移速度高，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大，熱導(dǎo)率高等諸多特點(diǎn)，主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET等器件。在綠色照明領(lǐng)域，用碳化硅襯底制作的LED性能遠(yuǎn)優(yōu)于藍(lán)寶石襯底。專(zhuān)家表示，碳化硅襯底需求將在短期內(nèi)迎來(lái)一個(gè)爆發(fā)增長(zhǎng)期。
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